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Características:
- Marca: Kingston
- Modelo: KVR26N19S6/4
Especificações Técnicas:
- Capacidade: 4GB
- Frequência de operação: DDR4 2666Mhz
- 288-Pin DIMM
- CL (IDD): 19 ciclos
- Row Cycle Time (tRCmin): 45,75ns (min.)
- Refresh to Active / Refresh Command Time (tRFCmin) 350ns (min.)
- Row Active Time (tRASmin) – 32ns (min.)
- Potência Máxima de Operação – TBD W*
- Classificação UL 94 V - 0
- Temperatura de operação – 0oC a +85oC
- Temperatura de armazenamento - -55oC a + 100oC
- A potência pode variar dependendo do uso do SDRAM
- Tensão de operação: VDD = 1,2V Típico
- VDDQ = 1,2V Típico
- VPP = 2.5V Típico
- VDDSPD = 2,2V a 3,6V
- Terminação nominal e dinâmica no DIE (ODT) para sinais de dados, luz e máscara
- Auto-atualização de baixa potência (LPASR)
- Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
- Geração e calibração VREFDQ no DIE
- Single Rank
- EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2
- 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada
- Burst chop fixo (BC) de 4 e comprimento de Burst (BL) de 8 através do conjunto registradores de modo (MRS)
- BC4 ou BL8 selecionáveis em tempo real (OTF)
- Topologia fly-by
- Comando de controle e barramento de endereços com terminação
- PCB: Altura 1,18” (30,00 mm)
- Em conformidade com RoHS e sem halogênios
Conteúdo da Embalagem:
- Memória Kingston 4gb Ddr4 2666mhz Cl19 - Kvr26n19s6/4
Características:
- Marca: Kingston
- Modelo: KVR26N19S6/4
Especificações Técnicas:
- Capacidade: 4GB
- Frequência de operação: DDR4 2666Mhz
- 288-Pin DIMM
- CL (IDD): 19 ciclos
- Row Cycle Time (tRCmin): 45,75ns (min.)
- Refresh to Active / Refresh Command Time (tRFCmin) 350ns (min.)
- Row Active Time (tRASmin) – 32ns (min.)
- Potência Máxima de Operação – TBD W*
- Classificação UL 94 V - 0
- Temperatura de operação – 0oC a +85oC
- Temperatura de armazenamento - -55oC a + 100oC
- A potência pode variar dependendo do uso do SDRAM
- Tensão de operação: VDD = 1,2V Típico
- VDDQ = 1,2V Típico
- VPP = 2.5V Típico
- VDDSPD = 2,2V a 3,6V
- Terminação nominal e dinâmica no DIE (ODT) para sinais de dados, luz e máscara
- Auto-atualização de baixa potência (LPASR)
- Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
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- Single Rank
- EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2
- 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada
- Burst chop fixo (BC) de 4 e comprimento de Burst (BL) de 8 através do conjunto registradores de modo (MRS)
- BC4 ou BL8 selecionáveis em tempo real (OTF)
- Topologia fly-by
- Comando de controle e barramento de endereços com terminação
- PCB: Altura 1,18” (30,00 mm)
- Em conformidade com RoHS e sem halogênios
Conteúdo da Embalagem:
- Memória Kingston 4gb Ddr4 2666mhz Cl19 - Kvr26n19s6/4
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