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Marca:
Samsung
Modelo:
Mz-v9s1t0
Capacidade
1 TB
Interface
PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
Fator de forma
M.2 (2280)
Leitura/Escrita Seq. (MB/s)
7.250 / 6.300
Executou. Leitura/Gravação (IOPS, QD32)
1.000K / 1.350K
Power
Ativo (leitura/gravação)
4,6 W / 4,2 W
Suspensão do dispositivo (L1.2)
Típico 60mW / Típico 5mW
Criptografia de dados
Classe 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)
Total de bytes gravados (TBW)
1.200
Armazenamento interno
Sim
NVMe
Sim
SSDs para jogos
Sim
Hardware
NAND
Samsung V NAND TLC (V8)
Controlador
Controlador interno
Memória cache
HMB (Buffer de Memória do Host)