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Marca:
Samsung
Modelo:
MZ-V9P1T0
Capacidade:
1TB (1 GB = 1 bilhão de bytes pela IDEMA) * A capacidade utilizável real pode ser menor (devido à formatação, particionamento, sistema operacional, aplicativos ou outros)
Formato:
M.2 (2280)
Interface:
PCIe geração 4.0 x4, NVMe 2.0
Memória de armazenamento:
MLC Samsung V-NAND de 3 bits
Controlador:
Controlador interno da Samsung
Memória cache:
SDRAM DDR4 de baixo consumo de 1 GB Samsung
S.M.A.R.T:
Compatível
Velocidade de leitura:
Até 7.450 MB/s *O desempenho pode variar de acordo com o hardware e a configuração do sistema
Velocidade de gravação:
Até 6.900 MB/s * O desempenho pode variar de acordo com o hardware e a configuração do sistema
Consumo de energia (em repouso):
*Média: 5,4 W*Máximo: 7,8 W (modo Burst)* O consumo real de energia pode variar dependendo do hardware e da configuração do sistema
Tensão:
3,3 V ± 5% Tensão permitida
MTBF:
1,5 milhão de horas (MTBF)
Temperatura de funcionamento:
0 - 70 ?
Choque:
1.500 G e 0,5 ms (meio senoidal)
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